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Science:深度学习

纳米人 • 3 年前 • 378 次点击  


在神经元和突触中,约100 mV幅度的动作电位在毫秒的特征时间尺度内演变,这从根本上限制了动物的思考和反应速度。因为液态水在>1.23 V的电压下分解,所以可以理解弱动作电位。然而,借助用于模拟机器学习的人造固态神经元和突触,研究工作不再受到水电解质稳定性窗口的限制。此外,还可以通过103(从~10 mm ~10 nm)的长度尺度收缩因子制造比生物神经元小得多的设备。这种可能性提出了一个基本问题,即,基于固态离子的模拟深度学习的最终速度限制是多少?此外,当接近这个速度限制时,考虑到耗散过程通常会在每个任务中产生更多的熵,任务完成得越快,训练的能量密集程度如何?


有鉴于此,美国麻省理工学院MIT-IBM 沃森人工智能实验室Murat Onen,李巨,Bilge YildizJesús A. del Alamo等人报道了硅兼容的纳米级质子可编程电阻器,在极端电场下具有非常理想的特性。这种操作机制能够在室温下,以节能的方式,在纳秒内控制质子的穿梭和嵌入。该器件表现出对称、线性和可逆的调制特性,许多电导态覆盖20倍的动态范围。



本文要点:

1)该工作中研究的三端质子可编程电阻器(图A)是通过一系列电子束光刻工艺制造的。自对准栅极结构用于缩小器件尺寸,避免掩模对准限制。

该工艺的一个关键设计方面,Pd层覆盖在一个大区域上(图B),然后用作下方磷硅玻璃(PSG)层的蚀刻掩模。校准沟道电极(Au)的高度,使PSG层可以覆盖侧壁,并且与沟道电极重叠的Pd层与栅电极断开(图C),避免这些区域的充电和不必要的电容。


2)当电压约为+10/ -8.5 V时,文中的方法产生了极快的纳米离子器件(5 ns),至少是生物突触的104倍,产生极高的电穿过质子传导PSG SE的场约为1 V/nm。


在适当的操作参数下,这种非线性离子电子器件是稳健且可逆的,可在数百万次循环中成功运行,其运行速度是传统固态电池的 1010 倍。即使接近设备的极限速度,与人类突触产生的热量(每个状态约 10 fJ)相比,每个编程任务产生的热量仍然是有利的。这些发现还为需要快速离子运动的领域开辟了可能性。


参考文献:

Nanosecond protonic programmable resistors for analog deep learning

DOI: 10.1126/science.abp8064

https://www.science.org/doi/10.1126/science.abp8064



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