据DIGITIMES援引供应链消息，三大存储原厂(三星、SK海力士、美光) 2027年 DRAM、HBM 产能已完成全部分配。
NAND Flash方面，三星、美光及闪迪的2027年产能也已预售一空，铠侠与SK海力士预计最迟于2026年8月底前完成分配。无论是否签订LTA长期合约，各方买家均配合原厂提前预付订金模式。
2027年成为"存储最缺一年"的看法正在应验，业内预期2027年价格涨幅有望趋缓，不过，供给紧张与终端成本压力绝非短期可以缓解。
AI浪潮带动存储供需格局发生结构性反转。近期各家存储原厂已陆续与大客户签订LTA长约，绑定3至5年的供货协议，使存储芯片逐步脱离标准型商品的传统周期循环。原厂牢牢掌握供应配额，报价维持坚挺，长期卖方市场格局已然形成。
该报道强调，所谓产能分配完毕，涵盖对象不仅是长期绑定3至5年LTA的大客户，也包括2026年已获得产能分配、但原厂未必愿意与其签订长约的中小型买家。业内人士透露，目前产能几乎被抢购一空，有买家秘而不宣，"怕太多人进来，结果自己分少了"。
尚未锁定产能的买家面临2027年"无货可买"的困境，鉴于云服务巨头与AI大厂的优先级，手机及PC等消费性终端的供给空间一直被挤压，配额明显缩水。
SK集团会长崔泰源此前预计，2027年AI半导体需求有望较2026年大增60%至100%，整体存储需求增幅估计达50%至60%，供需缺口恐持续扩大，2027年可能面临史上最严重的短缺与供需失衡。
威刚董事长陈立白日前强调，DRAM缺货相当明确，并证实三大原厂2027年产能早已售罄。HBM与AI服务器相关应用将占近七成DRAM产能，手机、PC等消费电子产品的DRAM配额将明显缩水。此外，企业级存储需求强劲，也带动NAND Flash与硬盘市场供给趋紧。
机构方面，高盛早在5月31日就发表过观点，预计2026至2028年全球DRAM供需缺口依次为5.0%、5.9%和3.9%，NAND闪存2026年和2027年缺口分别为4.4%和4.6%，2027年供需紧张程度将超过2026年，且这种态势将延续至2028年。
TrendForce近期报告指出，2027年存储需求维持由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI服务器需求强劲，维持供给紧张格局，价格走势偏强。